特許
J-GLOBAL ID：201103037878138664
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
清水 守
, 川合 誠
, 青木 俊明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-289102
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110897
特許番号：特許第4364358号
出願日： 1999年10月12日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】(a)基板の上面の側からバイアホールを形成する工程と、
(b)前記バイアホールの内壁に金属層を形成する工程と、
(c)前記バイアホール内に光硬化樹脂を埋め込む工程と、
(d)前記光硬化樹脂を硬化させる工程と、
(e)前記バイアホールが前記基板を貫通するように前記基板の下面を研磨する工程と、
(f)前記バイアホール内の前記光硬化樹脂を除去する工程とを有し、
(g)前記(a)〜(f)の各工程を順次施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 23/52 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
H01L 21/88 J
, H01L 21/90 S
