特許
J-GLOBAL ID：201103038145011982
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-119135
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311898
特許番号：特許第3360038号
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に所定の距離をもって第1及び第2の回路ブロックが配設され、前記第1及び第2の回路ブロックにそれぞれ対応して前記半導体基板内の表面近傍にPウェルが形成され、このPウェルの周囲にガードリングとして機能するNウェルがそれぞれ設けられ、前記第1及び第2の回路ブロック間に配線層が設けられた半導体装置において、Nウェル及びPウェルが形成されることなく前記配線層に対向する前記半導体基板内に設けられたP型半導体基板領域部と、前記P型半導体基板領域部と前記配線層の間に設けられ、グランド電位又は前記第1及び第2の回路ブロックの内でノイズやクロストークの発生源になっている側の回路ブロック上の信号とは逆電位の逆相信号でバイアスされて前記P型半導体基板領域部にN型反転層が生じるのを防止する導電層を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/761
, H01L 21/768
, H01L 21/822
, H01L 21/8234
, H01L 27/04
, H01L 27/088
H01L 21/88 S
, H01L 21/76 J
, H01L 21/90 V
, H01L 27/04 D
, H01L 27/08 102 Z
