特許
J-GLOBAL ID:201103038182697355
表示装置およびその製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
▲角▼谷 浩
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-368253
公開番号(公開出願番号):特開2001-318622
特許番号:特許第3806596号
出願日: 2000年12月04日
公開日(公表日): 2001年11月16日
請求項(抜粋):
【請求項1】 基板上に形成され、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜およびシリコン窒酸化膜のいずれかからなる絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、インジウムを含む表示電極と、前記表示電極の表面に電気陰性度の大きな不純物元素を導入して形成された第1の不純物導入層と、前記絶縁膜の表面における前記表示電極に覆われていない部分に電気陰性度の大きな不純物元素を導入して形成され、前記第1の不純物導入層とはその組成が異なる第2の不純物導入層とを備えたことを特徴とした表示装置。
IPC (5件):
G09F 9/30 ( 200 6.01)
, G02F 1/1333 ( 200 6.01)
, G02F 1/1343 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
FI (5件):
G09F 9/30 330 Z
, G02F 1/133 505
, G02F 1/134
, G02F 1/136
, H01L 21/316 P
引用特許:
審査官引用 (15件)
-
液晶表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-017190
出願人:株式会社日立製作所
-
特開平2-265738
-
特開平2-265738
-
特開平1-185617
-
液晶表示装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-327113
出願人:シャープ株式会社
-
表示装置および表示装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-196779
出願人:三洋電機株式会社
-
薄膜素子の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-212554
出願人:富士通株式会社
-
特開平2-265738
-
特開平1-185617
-
特開平2-265738
-
特開平2-265738
-
特開平1-185617
-
薄膜半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-084658
出願人:セイコーエプソン株式会社
-
マトリクス液晶表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-266690
出願人:オプトレックス株式会社
-
特開平2-265738
全件表示
前のページに戻る