特許

J-GLOBAL ID：201103038188776834

半導体レーザおよびその製法

発明者： 芦田 雅由
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-244546
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068785
特許番号：特許第3950590号
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1導電形の半導体基板と、該半導体基板上に設けられる第1導電形クラッド層、活性層、および第2導電形クラッド層を有し、第1の発光波長で発光する第1の発光部と、該第1の発光部上に設けられる第2導電形の第1コンタクト層と、該第1コンタクト層上に設けられる第2導電形クラッド層、活性層、および第1導電形クラッド層を有し、前記第1の発光波長と異なる第2の発光波長で発光する第2の発光部と、前記第1の発光部の第2導電形クラッド層、前記第1コンタクト層、および前記第2の発光部を構成する半導体層がリッジ状に残存し、前記第1の発光部の第2導電形クラッド層が一部残存するように形成される凹部と、該凹部内に第1導電形の第1の電流ブロッキング層を介して、前記第1コンタクト層と電気的に接続されるように埋め込まれる第2導電形の第1電極形成層と、該第1電極形成層の一部の上で、かつ、前記第2の発光部のリッジ側面を被覆して埋め込まれ、該第2の発光部の前記第2導電形クラッド層および活性層とヘテロバリアブロッキングを構成する第2の電流ブロッキング層を介して前記第2の発光部の第1導電形クラッド層と電気的に接続して設けられる第1導電形の第2コンタクト層とからなる半導体レーザ。

IPC (1件)：

H01S 5/22 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01S 5/22 610

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭57-083082
  
• 特開昭61-231789
  
• 特開昭61-128589
  

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-083082
  
• 特開昭61-231789
  
• 特開昭61-128589