特許
J-GLOBAL ID：201103038377388799
窒化物半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 元彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-031122
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232238
特許番号：特許第3594826号
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】3族窒化物半導体を積層して得られる活性層と、前記活性層に隣接し前記活性層のバンドギャップより大なるバンドギャップを有する障壁層と、からなる窒化物半導体発光素子であって、前記活性層において貫通転位を囲みその周囲に拡がる界面により画定される前記障壁層と同一材料からなる埋め込み部を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01S 5/323 610
