特許
J-GLOBAL ID：201103038381399444
固体撮像装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-243845
公開番号（公開出願番号）：特開平2-168670
特許番号：特許第2781425号
出願日： 1989年09月20日
公開日（公表日）： 1990年06月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第一導電型の半導体基板の表面に、感光部を構成する第二導電型の第一の不純物領域と電荷転送チャネル部を構成する第二導電型の第二の不純物領域とを形成する工程と、前記半導体基板、前記第一の不純物領域および前記第二の不純物領域の表面に第一の絶縁膜を形成する工程と、前記第一の不純物領域から前記第二の不純物領域へ信号電荷を読み出すための読み出しゲートを、該読み出しゲートの端部が前記第一の不純物領域の端部と重なり合うように前記第一の絶縁膜の表面に形成する工程と、前記読み出しゲートの表面と側面に第二の絶縁膜を形成する工程と、前記読み出しゲートと前記第二の絶縁膜とをマスクとして不純物を添加することにより、前記第一の不純物領域の表面に第一導電型の第三の不純物領域を形成する工程と、前記第一導電型の不純物領域を前記読み出しゲート側へ拡散する工程とを備えた固体撮像装置の製造方法であって、前記読み出しゲートの端部から前記第三の不純物領域の接合深さを越える距離だけ離れた位置より不純物を添加するようにして前記第三の不純物領域を形成することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/148
, H04N 5/14
, H04N 5/335
H01L 27/14 B
, H04N 5/14 Z
, H04N 5/335 F
