SiGe膜のエッチング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山田文雄 , 山田洋資
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-264010
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077888
特許番号：特許第3974356号
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】表面にSiGe結晶層を形成した基板のマスクに覆われていない部分のSiGe膜をSi膜または酸化シリコン膜またはシリコン窒化膜に対して選択的に除去するSiGe膜のエッチング方法であって、反応性ガスとして、水素原子と弗素原子が結合したガスをアルゴンガスおよび酸素ガスと混合した混合ガスを用いて、SiGe膜をドライエッチングすることを特徴とするSiGe膜のエッチング方法。

IPC (1件)：