特許

J-GLOBAL ID：201103038675808024

半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 政春
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-339418
公開番号（公開出願番号）：特開平3-198346
特許番号：特許第2949743号
出願日： 1989年12月27日
公開日（公表日）： 1991年08月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型半導体領域上に第2導電型多結晶シリコン膜を選択的に形成する工程と、前記第1導電型半導体領域の全面に第1の絶縁膜を形成する工程と、この第1の絶縁膜の表面から前記第1導電型半導体領域に到達する第1の開孔部を選択的に形成する工程と、前記多結晶シリコン膜から前記第1導電型半導体領域に第2導電型不純物を拡散させて第1の拡散領域を形成する工程と、前記第1の開孔部の側壁部にのみ第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の開孔部に第3の絶縁膜を埋め込む工程と、前記第2の絶縁膜を除去することにより第2の開孔部を形成し前記第1導電型半導体領域を露出させる工程と、この第2の開孔部から前記第1導電型半導体領域に第2導電型不純物を導入して前記第1の拡散領域よりも不純物濃度が低い第2の拡散領域を形成する工程と、前記第2の開孔部に第4の絶縁膜を埋め込む工程と、前記第3の絶縁膜を除去することにより第3の開孔部を形成し前記第1導電型半導体領域を露出させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/331 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/72 ,  H01L 27/06 101 B ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 29/78 301 P