特許

J-GLOBAL ID：201103038765242135

サセプタ

発明者： 外谷 栄一 ,  大橋 忠 ,  伊藤 幸夫 ,  角谷 雅之 ,  佐々木 泰実
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 田辺 徹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-004836
公開番号（公開出願番号）：特開平2-186623
特許番号：特許第2764416号
出願日： 1989年01月13日
公開日（公表日）： 1990年07月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】炭素基材の表面に緻密なSiC膜を設けた半導体ウェハ用サセプタであって、半導体ウェハ載置面の裏面側に多数の放熱突起及び前記SiC膜が存在せず炭素基材が露出した穴部を有することを特徴とする半導体ウェハ用サセプタ。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/12 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/12 ,  H01L 21/31 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭51-135363
  
• 特開昭56-054033
  
• 特開昭51-135363
  
• 特開昭56-054033