半導体記憶装置及びそのテスト方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋詔男 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-363664
公開番号（公開出願番号）：特開2002-074944
特許番号：特許第3367519号
出願日： 2000年11月29日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】リフレッシュを必要とする複数のメモリセルを有する半導体記憶装置において、前記リフレッシュの対象となるメモリセルに対応するリフレッシュアドレス信号を生成するリフレッシュアドレス生成手段と、入力アドレス信号に応答してアドレス変化検出信号を発生するアドレス変化検出手段と、前記アドレス変化検出信号に応答して、前記リフレッシュアドレス信号に対応するメモリセルのリフレッシュを行ってから、前記入力アドレス信号に対応するメモリセルにアクセスする制御手段とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 11/403 , G11C 11/401 , G11C 11/406 , G11C 11/407 , G11C 29/00 671

FI (5件)：

G11C 29/00 671 S , G11C 11/34 371 J , G11C 11/34 354 F , G11C 11/34 363 N , G11C 11/34 371 A

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