特許

J-GLOBAL ID：201103038878502044

樹脂組成物、ゲート絶縁層及び有機薄膜トランジスタ

発明者： 矢作 公
出願人/特許権者： 住友化学株式会社
代理人 (3件)： 田中 光雄 ,  山田 卓二 ,  西下 正石
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-194111
公開番号（公開出願番号）：特開2011-038062
出願日： 2009年08月25日
公開日（公表日）： 2011年02月24日
要約：

【課題】ヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】(A)式(1)で表される繰り返し単位を含有し、かつ、分子内に第1の官能基を2つ以上含有する高分子化合物であって、該第1の官能基が、電磁波もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第2の官能基を生成する官能基である高分子化合物と、(B)分子内に活性水素を2つ以上含有する低分子化合物及び分子内に活性水素を2つ以上含有する高分子化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物とを、含有する有機薄膜トランジスタゲート絶縁層用樹脂組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)一般式(1)で表される繰り返し単位、一般式(1’)で表される繰り返し単位及び一般式(2)で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位を含有し、かつ、分子内に第1の官能基を2つ以上含有する高分子化合物であって、該第1の官能基が、電磁波もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第2の官能基を生成する官能基である高分子化合物と、(B)分子内に活性水素を2つ以上含有する低分子化合物及び分子内に活性水素を2つ以上含有する高分子化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物とを、含有する樹脂組成物。

IPC (6件)：

C08F 8/00 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  C08G 81/02 ,  C08F 212/14

FI (7件)：

C08F8/00 ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280 ,  C08G81/02 ,  C08F212/14

Fターム (67件)：

4J031AA13 ,  4J031AA17 ,  4J031AA20 ,  4J031AB01 ,  4J031AB02 ,  4J031AC08 ,  4J031AD01 ,  4J031AE03 ,  4J031AE07 ,  4J031AF24 ,  4J031AF26 ,  4J100AB02Q ,  4J100AB10P ,  4J100AG08Q ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA34Q ,  4J100BA34R ,  4J100BA37H ,  4J100BA38H ,  4J100BA38R ,  4J100BA43H ,  4J100BA46R ,  4J100BB18Q ,  4J100BC43Q ,  4J100BC73R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA31 ,  4J100FA19 ,  4J100HA53 ,  4J100HA61 ,  4J100HC10 ,  4J100HC46 ,  4J100HE20 ,  4J100HE32 ,  4J100JA44 ,  4J100JA46 ,  5F110AA08 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ19