特許

J-GLOBAL ID：201103038893233564

グラフェン膜の製造方法

発明者： 藤井 健志 ,  清水 了典
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 松井 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-034150
公開番号（公開出願番号）：特開2011-168448
出願日： 2010年02月19日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：

【課題】基板選択の自由度が高く、大面積のグラフェン膜を基板上に形成することが可能なグラフェン膜の製造方法を提供する。【解決手段】種グラフェン結晶を設置した基板に炭素含有ガスを供給し、CVD法により前記基板上にグラフェン膜を形成する。炭素含有ガスは、炭化水素系化合物及び/又は炭化フッ素系化合物であることが好ましい。基板は、Si基板、SiO2/Si基板及び石英ガラス基板から選ばれる一種以上であることが好ましい。種グラフェン結晶は、グラフェン単層体及び/又はグラフェン積層体であることが好ましい。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

種グラフェン結晶を設置した基板に炭素含有ガスを供給し、CVD法により前記基板上にグラフェン膜を形成することを特徴とする、グラフェン膜の製造方法。

IPC (2件)：

C01B 31/04 ,  C23C 16/26

FI (2件)：

C01B31/04 101Z ,  C23C16/26

Fターム (18件)：

4G146AA02 ,  4G146AB07 ,  4G146AD03 ,  4G146AD23 ,  4G146BA02 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BB12 ,  4G146BC09 ,  4G146BC22 ,  4G146DA16 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01