特許

J-GLOBAL ID：201103038924974576

半導体装置およびその製造方法

発明者： 井上 啓司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-200117
公開番号（公開出願番号）：特開2011-054637
出願日： 2009年08月31日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
要約：

【課題】積層した半導体デバイスの配線信頼性の向上を図ることを可能とする。【解決手段】第1基板12に第1半導体集積回路13が形成され、その第1半導体集積回路13上に形成された絶縁膜31とその絶縁膜31中に形成された複数層の配線32からなる第1配線部33の側周を囲む耐湿性を有する第1ガードリング14を備えた第1半導体デバイス11と、第2基板22に第2半導体集積回路23が形成され、その第2半導体集積回路23上に形成された絶縁膜41とその絶縁膜41中に形成された複数層の配線42からなる第2配線部43の側周を囲む耐湿性を有する第2ガードリング24を備えた第2半導体デバイス21が、前記第1配線部33と前記第2配線部43とを対向させて積層されていて、第1半導体デバイス11と第2半導体デバイス12の接合面で第1ガードリング14と第2ガードリング24とが接合されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1基板に第1半導体集積回路が形成され、その第1半導体集積回路上に形成された絶縁膜とその絶縁膜中に形成された複数層の配線からなる第1配線部の側周を囲む耐湿性を有する第1ガードリングを備えた第1半導体デバイスと、 第2基板に第2半導体集積回路が形成され、その第2半導体集積回路上に形成された絶縁膜とその絶縁膜中に形成された複数層の配線からなる第2配線部の側周を囲む耐湿性を有する第2ガードリングを備えた第2半導体デバイスが、前記第1配線部と前記第2配線部とを対向させて積層されていて、 前記第1半導体デバイスと前記第2半導体デバイスの接合面で前記第1ガードリングと前記第2ガードリングとが接合されている 半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (4件)：

H01L25/08 Z ,  H01L21/88 T ,  H01L21/88 S ,  H01L25/08 B

Fターム (25件)：

5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH22 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033TT07 ,  5F033VV03 ,  5F033VV07 ,  5F033XX18