特許

J-GLOBAL ID：201103039040966894

電界効果型トランジスタ及びこれを用いた論理回路

発明者： 原田 直樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-000701
公開番号（公開出願番号）：特開2011-142136
出願日： 2010年01月05日
公開日（公表日）： 2011年07月21日
要約：

【課題】 機能性を向上させた電界効果型トランジスタ及び当該トランジスタを用いた論理回路を提供すること。【解決手段】 本FET100は、極性を変更可能なチャネル領域16と、チャネル領域16付近に設けられ、自身の分極状態に基づきチャネル領域16の極性を変更する強誘電体領域26とを有する。FET100はさらに、チャネル領域16のキャリア濃度を制御する第1制御手段24と、強誘電体領域26の分極状態を変更する第2制御手段12とを有する。第1制御手段24に印加される制御信号Vcにより、強誘電体領域26の分極状態を変更し、その結果としてチャネル領域16の極性を変更することができる。これにより、FET100の極性を任意に変更し、かつ一度変更したFET100の極性を電源投下後においても維持することが可能となる。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

極性を変更可能なチャネル領域と、 前記チャネル領域付近に設けられ、自身の分極状態に基づき前記チャネル領域の極性を変更する強誘電体領域と、 前記チャネル領域のキャリア濃度を制御する第1制御手段と、 前記強誘電体領域の分極状態を変更する第2制御手段と、 を有する電界効果型トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 27/08 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/823

FI (9件)：

H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 280 ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 102C

Fターム (34件)：

5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048CB08 ,  5F110AA30 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19