特許
J-GLOBAL ID:201103039209162390
基板からポリマーを除去するための方法及び装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安齋 嘉章
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-548923
公開番号(公開出願番号):特表2011-517368
出願日: 2009年02月27日
公開日(公表日): 2011年06月02日
要約:
基板からポリマーを除去するため方法及び装置が提供される。一実施形態において、基板からポリマーを除去するのに用いられる装置は、プロセス空間を区画するチャンバの壁及びチャンバの蓋を有するプロセスチャンバと、プロセスチャンバに置かれた基板支持アセンブリと、チャンバの壁内に形成された出力ポートを介してプロセスチャンバに結合するリモートプラズマソースとを含み、出力ポートは基板支持アセンブリに置かれた基板の周辺領域に向けた開口を有し、前記リモートプラズマソースは水素種に耐性のある材料から作られている。
請求項(抜粋):
プロセス空間を区画するチャンバの壁及びチャンバの蓋を有するプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバ内に設けられた基板支持アセンブリと、
前記プロセスチャンバに形成された出力ポートを介して前記プロセスチャンバに結合されたリモートプラズマソースであって、前記出力ポートは前記基板支持アセンブリに設けられた基板の周辺領域の方向付けられた開口を有するリモートプラズマソースと、
(A)前記基板サポートアセンブリに対して、載置された基板が実質的に電気的にフロートとしている、前記支持アセンブリの基板支持表面を含みことと、
(B)前記基板支持アセンブリに載置された基板の端部に接触するイオンの数を低減するために、前記出力ポートのところで磁界を発生するよう構成された磁界発生機を含むことと、
(C)前記チャンバ内に載置されたプラズマ内のイオンをグランドするために、前記基板支持アセンブリとチャンバの蓋との間に保持された導電性のメッシュを含むことのうち、
(A)、(B)、若しくは、(C)のいずれか1つとを含む、
基板からポリマーを除去するために用いられる装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L21/302 106
, H05H1/46 L
Fターム (30件):
5F004AA14
, 5F004BA03
, 5F004BA08
, 5F004BA09
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004BB26
, 5F004BB28
, 5F004BB29
, 5F004BC05
, 5F004BC06
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004CA04
, 5F004CA06
, 5F004CA08
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA02
, 5F004DA04
, 5F004DA13
, 5F004DA15
, 5F004DA16
, 5F004DA17
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DB00
, 5F004DB23
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