特許

J-GLOBAL ID：201103039227823213

化合物半導体のエッチング液、化合物半導体のエッチング方法及び化合物半導体発光素子の製造方法

発明者： 小林 静一郎
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人藤村合同特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-237508
公開番号（公開出願番号）：特開2011-086723
出願日： 2009年10月14日
公開日（公表日）： 2011年04月28日
要約：

【課題】GaxIn1-xP半導体(0.9≦x≦1.0)を除去することができる化合物半導体のエッチング液、当該エッチング液を用いた化合物半導体のエッチング方法、及び当該エッチング方法を用いた化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】GaxIn1-xP半導体(0.9≦x≦1.0)をエッチングするために用いられる化合物半導体のエッチング液であって、ヨウ素、ヨウ化カリウム及びアンモニアを含む水溶液からなること。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

GaxIn1-xP半導体(0.9≦x≦1.0)をエッチングするために用いられる化合物半導体のエッチング液であって、 ヨウ素、ヨウ化カリウム及びアンモニアを含む水溶液からなることを特徴とするエッチング液。

IPC (2件)：

H01L 21/308 ,  H01L 33/30

FI (2件)：

H01L21/308 C ,  H01L33/00 184

Fターム (6件)：

5F041AA31 ,  5F041CA37 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F043AA13 ,  5F043BB06