特許
J-GLOBAL ID：201103039388654381
半導体製造装置のガス配管
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-286221
公開番号（公開出願番号）：特開平3-146111
出願日： 1989年11月02日
公開日（公表日）： 1991年06月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】高純度ガスを使用してウェハ処理を行う半導体製造装置のガス配管において、ガス供給源から処理槽に至る配管経路の途中に環状配管を設け、前記環状配管中を一定流量でガスを循環させる機構と、前記環状配管内の圧力を検知してガスを補充する機構と、循環しているガスの一部を前記環状配管より分岐し所望流量を処理槽へ導入する機構と、前記環状配管の途中にガス中の不純物成分を吸着除去する機構とを設けたことを特徴とする半導体製造装置のガス配管。
IPC (1件)：
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