特許
J-GLOBAL ID：201103039419812843
半導体集積回路のテスト方法とその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-070408
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269280
特許番号：特許第3138701号
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 被試験回路の半導体集積回路をテストする半導体集積回路のテスト方法であって、回路シミュレーションで前記半導体集積回路の最大動作周波数(以下、fmax)に対する各温度設定(以下、Ta)値における電源電圧(以下、VDD)依存性の近似式を求め、前記fmaxがテスタ動作限界になる前記VDD値を前記近似式から求め、前記近似式から前記VDD値が求まったかどうかを判定し、前記VDD値が求まった場合は、設定した前記VDD値により高速テストを行い、前記VDD値が求まらない場合は、前記fmaxが前記テスタ動作限界になる前記Ta値を変更し、前記VDD値を前記近似式から求め、設定した前記Ta値及び前記VDD値で高速テストを行い、当該テストによる周波数を当該テスタの動作限界まで低くして、前記被試験回路の良否を選別することを特徴とする半導体集積回路のテスト方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 Z
, G01R 31/28 A
