特許

J-GLOBAL ID：201103039841403115

半導体装置の製造方法

発明者： 高橋 靖 ,  安田 洋 ,  川島 憲一 ,  滝 和孝
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 寒川 誠一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-163930
公開番号（公開出願番号）：特開平3-030416
特許番号：特許第2699200号
出願日： 1989年06月28日
公開日（公表日）： 1991年02月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】開口(1)を有する支持板(2)上に、表面に絶縁膜(10a)が被着されたウェーハ(10)を載せる工程と、真空処理槽に供給されたガスに高周波電力を与えてプラズマガスを発生させ、前記ウェーハ(10)に被着する前記絶縁膜(10a)の内、前記開口(1)内に露出する絶縁膜を除去する工程と、前記ウェーハ(10)の前記絶縁膜を除去した部分に蓄積電荷放出手段を接続させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/30 541 M ,  H01L 21/302 B