特許

J-GLOBAL ID：201103040053728788

半導体装置の製造方法、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法及び絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

発明者： 石川 英司 ,  近藤 憲司 ,  曽我 肇
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-221242
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044216
特許番号：特許第4244456号
出願日： 1999年08月04日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 異方性エッチングを行うことにより半導体基板上にトレンチを形成する第1の工程と、 この第1の工程の後、順テーパエッチングを行うことにより前記トレンチの底部のコーナー部を順テーパ形状に加工する第2の工程と、 この第2の工程の後、等方性エッチングを行うことにより前記トレンチの底部のコーナー部を丸める第3の工程とを備え、 前記順テーパエッチングは、前記トレンチの側壁に保護膜を堆積させながらエッチングするドライエッチングであると共に、イオンの入射方向の垂直成分を低下させたドライエッチングであり、更に、エッチング槽内の圧力を高くしたドライエッチングであることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/78 658 G ,  H01L 21/302 101 ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 655 A