半導体装置およびそのための電極ブロック

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-326662
公開番号（公開出願番号）：特開平3-187235
出願日： 1989年12月15日
公開日（公表日）： 1991年08月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】加圧接触型の半導体装置であって、(a)半導体基板の第1の主面の第1と第2の領域上に第1の主電極と制御電極とがそれぞれ設けられるとともに、前記半導体基板の第2の主面上に第2の主電極が設けられた半導体エレメントと、(b)互いに対向する第1と第2の表面を有し、前記第1の表面が凸部とこの凸部よりも外周側に配置され前記凸部よりも高さの低い外周側壁を有した凹部とを備え、前記凸部が前記第1の主電極に電気的に接触するとともに前記凹部が前記制御電極に対向するような位置関係で前記半導体エレメント上に配置された第1の外部主電極と、(c)前記制御電極上に配置され、前記凹部内に設けた弾性部材によって前記制御電極上へ付勢された制御導電体と、(d)前記第2の主電極上に配置されて前記第2の主電極と電気的に接触する第2の外部主電極とを備え、前記第1の外部主電極の前記第2の表面が、前記第1の表面の前記凸部に対向する第1のエリアと、前記凹部の少なくとも一部に対向する第2のエリアとを有し、前記第2のエリアの高さを、前記第1のエリアの高さよりも低くしてあることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 21/52 J

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