特許
J-GLOBAL ID：201103040593289813
電位検出回路及び半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-149496
公開番号（公開出願番号）：特開2002-051538
特許番号：特許第3696125号
出願日： 2001年05月18日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 昇圧された内部電源電圧を発生するための昇圧回路を有する半導体集積回路であって、前記昇圧回路は、 第1の期間の間に充電される複数の第1のキャパシタと、 前記複数の第1のキャパシタと交互に配され、第2の期間の間に充電される複数の第2のキャパシタと、 前記複数の第1のキャパシタの各々に昇圧されたクロック信号を供給する第1の電位変換回路と、 前記複数の第2のキャパシタの各々に昇圧されたクロック信号を供給する第2の電位変換回路と、 前記第2の期間から所定時間遅れた第3の期間の間に、前記複数の第1のキャパシタの各々に蓄積された電荷を前記各第1のキャパシタの次の前記第2のキャパシタに転送する第1の転送回路と、 前記第1の期間から前記所定時間遅れた第4の期間の間に、前記複数の第2のキャパシタの各々に蓄積された電荷を前記各第2のキャパシタの次の前記第1のキャパシタに転送する第2の転送回路とを備えたことを特徴とする半導体集積回路、
IPC (4件)：
H02M 3/07
, G11C 16/06
, H01L 21/822
, H01L 27/04
H02M 3/07
, G11C 17/00 632 A
, H01L 27/04 A
