特許
J-GLOBAL ID：201103040626128438
グラフェン膜の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
内藤 浩樹
, 永野 大介
, 藤井 兼太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-045132
公開番号（公開出願番号）：特開2011-178617
出願日： 2010年03月02日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：
【課題】基板上にグラフェン膜を形成する方法を提供する。【解決手段】c面を有するサファイア基板の上に、金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、水素雰囲気中での第1の熱処理工程と、水素およびメタン混合雰囲気中での第2の熱処理工程と、冷却工程を行なうことで、前記サファイア基板上に欠陥の少ないグラフェン膜が形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にグラフェン膜を形成する方法であって、
前記基板上にニッケルあるいはコバルトからなる金属膜を形成する工程と、
前記基板を水素ガス雰囲気下で加熱することにより前記金属膜を再結晶化させて、エピタキシャル金属膜を形成する第1の熱処理工程と、
前記基板をメタンガスと水素ガスの混合雰囲気下で加熱する第2の熱処理工程とを有し、
前記基板はc面サファイア基板である、方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
4G146AA02
, 4G146AB07
, 4G146AC16B
, 4G146AD30
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BB22
, 4G146BB23
, 4G146BC03
, 4G146BC25
, 4G146BC33B
, 4G146BC44
