特許
J-GLOBAL ID:201103041126327120
半導体複合装置、この製造方法、光プリントヘッド及び画像形成装置
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (3件):
柿本 恭成
, 阿仁屋 節雄
, 福岡 昌浩
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-202379
公開番号(公開出願番号):特開2011-054760
出願日: 2009年09月02日
公開日(公表日): 2011年03月17日
要約:
【課題】製造工程を簡略化して低コスト化を図る。【解決手段】半導体複合装置は、シフトレジスタと、これにより時分割駆動される半導体薄膜からなる発光サイリスタアレイとにより構成されている。この製造方法は、例えば、シフトレジスタを構成する複数の回路構成素子243が形成されたシリコン基板241を用意する。シフトレジスタにより駆動される複数の発光サイリスタ261〜264が配列された結晶構造を持った半導体薄膜からなる発光サイリスタアレイを、パッシベーション膜242を介してシリコン基板241上に貼着する。フォトリソグラフィ法により、複数の回路構成素子243間を電気的に接続してシフトレジスタを形成すると共に、そのシフトレジスタ及び複数の発光サイリスタ261〜264間を電気的に接続するメタル配線265〜267を形成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
駆動回路を構成する複数の回路構成素子が形成された基板と、
前記基板上に絶縁膜を介して貼着され、前記駆動回路により駆動される複数の被駆動素子が配列された結晶構造を持った半導体薄膜からなる被駆動素子アレイと、
前記複数の回路構成素子間を電気的に接続して前記駆動回路を形成すると共に、前記駆動回路及び前記複数の被駆動素子間を電気的に接続する配線と、
を有することを特徴とする半導体複合装置。
IPC (7件):
H01L 29/74
, H01L 33/08
, B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
, H04N 1/036
, H01L 27/15
FI (6件):
H01L29/74 E
, H01L33/00 120
, B41J3/21 L
, H04N1/036 A
, H01L27/15 B
, H01L27/15 H
Fターム (39件):
2C162AE12
, 2C162AE21
, 2C162AE28
, 2C162AE40
, 2C162AE47
, 2C162FA04
, 2C162FA17
, 2C162FA23
, 2C162FA45
, 2C162FA50
, 5C051AA02
, 5C051CA06
, 5C051DB02
, 5C051DB04
, 5C051DB06
, 5C051DB08
, 5C051DB12
, 5C051DB22
, 5C051DC03
, 5C051DC04
, 5C051DC07
, 5F005AA01
, 5F005AB01
, 5F005AC01
, 5F005AD02
, 5F005AH02
, 5F005AH03
, 5F005BA01
, 5F005FA03
, 5F041AA42
, 5F041CA07
, 5F041CA33
, 5F041CA36
, 5F041CB23
, 5F041CB33
, 5F041DA07
, 5F041DA35
, 5F041DA39
, 5F041FF13
引用特許:
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