半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大西健治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065158
特許番号：特許第3034517号
出願日： 1999年03月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】少なくとも2つの領域に分割された第1のダイパッドと、前記第1のダイパッドと同一リードフレームにより構成されるとともに、前記第1のダイパッドよりも所定の段差だけ下げて前記第1のダイパッド間に配置された第2のダイパッドと、前記第1のダイパッドに搭載された第1の半導体素子と、前記第2のダイパッドに搭載された第2の半導体素子と、前記第1および第2の半導体素子と電気的に接続されるとともに、前記第1のダイパッドと実質的に同一面内に配置された複数のインナーリードと、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：