感放射線性レジスト組成物及びパターン形成方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人小野国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-016633
公開番号（公開出願番号）：特開2011-154265
出願日： 2010年01月28日
公開日（公表日）： 2011年08月11日
要約：

【課題】ソルベントクラックを抑制した膜厚の大きなレジスト層を形成することが可能であり、これにより、高アスペクト比で微細構造を形成可能なレジスト組成物を提供すること。【解決手段】次の成分(A)ないし(C) (A)放射線で露光することにより現像液に可溶となるベース樹脂、 (B)一般式(1) 【化1】 (式中、R1は、炭素数1〜6の直鎖または分岐鎖アルキル基を示し、nは1〜5の整数を示す) で表される繰り返し単位を有する樹脂 (C)有機溶剤を含有することを特徴とするレジスト組成物並びにレジスト組成物を基材に塗布してレジスト膜を得る第1の工程と、得られたレジスト膜に放射線を照射して所望のパターンに露光する第2の工程と、露光後のレジスト膜を現像して露光域のレジストを溶解除去してパターン層を得る第3の工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

次の成分(A)ないし(C) (A)放射線で露光することにより現像液に可溶となるベース樹脂、 (B)一般式(1)

IPC (4件)：

G03F 7/039 , G03F 7/004 , H01L 21/027 , C08F 16/26

FI (4件)：

G03F7/039 501 , G03F7/004 501 , H01L21/30 502R , C08F16/26

Fターム (19件)：

2H125AM10P , 2H125AM24P , 2H125AM54P , 2H125AN31P , 2H125CA30 , 2H125CB15 , 2H125CC03 , 2H125CC20 , 2H125CD08P , 2H125CD38 , 2H125FA06 , 4J100AE09P , 4J100BA02P , 4J100CA01 , 4J100CA03 , 4J100DA01 , 4J100FA08 , 4J100FA19 , 4J100JA38

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