特許

J-GLOBAL ID：201103041630068187

パターン形成方法

発明者： 遠藤 政孝
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-205283
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035774
特許番号：特許第3179068号
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ネガ型のシリル化プロセスを実現するパターン形成方法であって、化学増幅型のポジ型レジストであるレジスト膜に対して所定のエネルギービームを照射して露光処理を実行して露光部を形成するとともに、当該露光部に対して前記レジストの保護基の脱保護を実行する工程と、前記レジスト膜の酸処理を行って前記露光部の脱保護した部分の水酸基を安定化する工程と、前記脱保護後のレジスト膜にシリル化を行って当該レジスト膜の露光部の表面にシリコンを導入する工程と、前記シリコンを導入した露光部をマスクとして前記レジスト膜に対してドライエッチングを行って所望のレジストパターンを形成する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 511 ,  G03F 7/38 512 ,  G03F 7/40 521

FI (6件)：

H01L 21/30 568 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 511 ,  G03F 7/38 512 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 541 P