特許

J-GLOBAL ID：201103042291838900

読み出し専用メモリ装置及びその製造方法

発明者： 中川原 明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-149494
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330448
特許番号：特許第2940474号
出願日： 1989年10月27日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1の導電型の半導体基板と、上記第1の導電型の半導体基板の表面に平行して帯状に形成された厚い酸化膜と、上記厚い酸化膜の底部に接して上記半導体基板に形成された上記第1の導電型と導電型が逆の第2の導電型のソース・ドレイン領域と、上記厚い酸化膜に略直交して帯状に形成された第1の電極層と、上記第1の電極層と平行し、この第1の電極層に挟まされた上記半導体基板上に、上記第1の電極層と重なり合う部分を有して帯状に形成された第2の電極層と、上記厚い酸化膜間において、上記第1の電極層下にある上記半導体基板の表面に、上記厚い酸化膜より厚さが薄く形成されたゲート酸化膜と、上記厚い酸化膜間において、上記第2の電極層下にある上記半導体基板表面に、上記厚い酸化膜より厚さが薄く形成されたゲート酸化膜とを備える読み出し専用メモリ装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8246 ,  G11C 17/12 ,  H01L 27/112

FI (2件)：

H01L 27/10 433 ,  G11C 17/00 304 B