特許

J-GLOBAL ID：201103042406851425

SiC単結晶の製造方法

発明者： 大黒 寛典
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  堂垣 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-254202
公開番号（公開出願番号）：特開2011-098853
出願日： 2009年11月05日
公開日（公表日）： 2011年05月19日
要約：

【課題】溶液法によって安定した品質のSiCを長時間製造し得るSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】溶液法により、SiCとCと前記2成分以外の溶液成分を含む原料溶液3からSiC種結晶基板9上にSiC単結晶を成長させる方法であって、SIC成長開始前にはCを溶解させる工程を有し、SIC成長開始後にはSiCを補給する工程を有する。ここで、SiCを補給する工程は、溶液3内であってSiC種結晶基板9の支持棒5と黒鉛坩堝2との間に設けたSiC製の遮蔽壁4から補給する工程である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

溶液法により、SiCとCと前記2成分以外の溶液成分を含む原料溶液からSiC種結晶基板上にSiC単結晶を成長させる方法であって、SIC成長開始前にはCを溶解させる工程を有し、SIC成長開始後にはSiCを補給する工程を有することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/04 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B29/36 A ,  C30B19/04 ,  H01L21/208 D

Fターム (26件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EC08 ,  4G077ED01 ,  4G077ED06 ,  4G077EG02 ,  4G077EG25 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA71 ,  5F053AA03 ,  5F053AA45 ,  5F053BB04 ,  5F053BB14 ,  5F053BB38 ,  5F053DD02 ,  5F053FF05 ,  5F053GG01 ,  5F053HH07 ,  5F053RR04 ,  5F053RR05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• SiC単結晶の製造方法、SiC単結晶ウエハ及びSiC半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-265717   出願人：住友金属工業株式会社, 三菱電機株式会社
• 炭化硅素結晶の液相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-288946   出願人：三菱電線工業株式会社