特許

J-GLOBAL ID：201103042756140793

半導体装置の製造方法

発明者： 渡邉 幸宗
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  大浪 一徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-219188
公開番号（公開出願番号）：特開2011-071202
出願日： 2009年09月24日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：

【課題】SiCを酸化する際に生成された炭素が不純物として酸化膜(SiO2)中に残留してしまうことを抑制し、チャネル移動度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、炭化シリコンを含む基板11上に酸化シリコン膜12を形成する工程と、酸化シリコン膜12上に金属酸化膜13を形成する工程と、酸素を含む雰囲気中で熱処理を行い、酸素を金属酸化膜13に透過させて酸化シリコン膜12に拡散させることにより、酸化シリコン膜12に残留する炭素を酸化させる残留炭素酸化工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

炭化シリコンを含む基板上に酸化シリコン膜を形成する工程と、 前記酸化シリコン膜上に金属酸化膜を形成する工程と、 酸素を含む雰囲気中で熱処理を行い、前記酸素を前記金属酸化膜に透過させて前記酸化シリコン膜に拡散させることにより、前記酸化シリコン膜に残留する炭素を酸化させる残留炭素酸化工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316

FI (6件)：

H01L29/78 301B ,  H01L21/316 P ,  H01L21/316 M ,  H01L21/316 S ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 Y

Fターム (23件)：

5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF12 ,  5F058BF61 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17