特許
J-GLOBAL ID：201103042795946444
MOS型電界効果トランジスタを有する半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-510921
特許番号：特許第4681176号
出願日： 2000年07月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 MOS型電界効果トランジスタと、該トランジスタに内蔵して該トランジスタのソース電極およびドレイン電極に接続され、該ソース電極およびドレイン電極間に動作時と逆方向の電圧が印加された場合に該ソース電極およびドレイン電極間に電流路を形成するダイオードとを有し、該ダイオードの前記ソース電極とのコンタクト部は、該ダイオードの前記ソース電極側半導体層の導電型である第2導電型高不純物濃度領域と、該導電型と逆の第1導電型領域、または前記第2導電型の低不純物濃度領域とが、平面構造で交互に形成される構造であるMOS型電界効果トランジスタを有する半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
H01L 29/78 657 A
, H01L 29/78 652 N
