特許
J-GLOBAL ID：201103043111242814

希土類含有ガラス材料および基板ならびにこれら基板を含む装置

発明者：
ダニエルソン,ポール エス

ダニエルソン,ポール エス について

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デジェネカ,マシュー ジョン

デジェネカ,マシュー ジョン について

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エリソン,アダム ジェイ

エリソン,アダム ジェイ について

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キクゼンスキ,ティモシー ジェイ

キクゼンスキ,ティモシー ジェイ について


出願人/特許権者：
コーニング インコーポレイテッド

コーニング インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-509480
公開番号（公開出願番号）：特表2011-522767
出願日： 2009年05月13日
公開日（公表日）： 2011年08月04日
要約：
酸化物に基づいたモルパーセントで表して、SiO2:66〜75、Al2O3:11〜17、B2O3:0〜4、MgO:1〜6.5、CaO:2〜7、SrO:0〜4、BaO:0〜4、Y2O3:0〜4、La2O3:0〜4、Y2O3+La2O3:0.1〜4.0を含む組成を有する希土類含有ガラス材料。組成物中の内包物Y2O3および/またはLa2O3はガラスのT2.3を低減し、それによって、より高い焼きなまし点のガラスの生産を可能にする。本ガラスは、特に、低温の多結晶シリコン系半導体装置にとって有用である。
請求項（抜粋）：
酸化物に基づいたモルパーセントで表して、
IPC (2件)：
C03C 3/095 ,  G02F 1/133
FI (2件)：
C03C3/095 ,  G02F1/1333 500
Fターム (75件)：
2H090JB02 ,  2H090JD17 ,  2H090LA04 ,  4G062AA01 ,  4G062BB01 ,  4G062CC10 ,  4G062DA06 ,  4G062DA07 ,  4G062DB04 ,  4G062DC01 ,  4G062DC02 ,  4G062DC03 ,  4G062DD01 ,  4G062DE01 ,  4G062DE02 ,  4G062DE03 ,  4G062DF01 ,  4G062EA01 ,  4G062EB01 ,  4G062EC01 ,  4G062ED03 ,  4G062EE03 ,  4G062EF01 ,  4G062EF02 ,  4G062EF03 ,  4G062EG01 ,  4G062EG02 ,  4G062EG03 ,  4G062FA01 ,  4G062FB01 ,  4G062FB02 ,  4G062FB03 ,  4G062FC01 ,  4G062FD01 ,  4G062FE01 ,  4G062FF01 ,  4G062FG01 ,  4G062FH01 ,  4G062FJ01 ,  4G062FJ02 ,  4G062FJ03 ,  4G062FK01 ,  4G062FK02 ,  4G062FK03 ,  4G062FL01 ,  4G062GA01 ,  4G062GA10 ,  4G062GB01 ,  4G062GC01 ,  4G062GD01 ,  4G062GE01 ,  4G062HH01 ,  4G062HH03 ,  4G062HH05 ,  4G062HH07 ,  4G062HH09 ,  4G062HH11 ,  4G062HH13 ,  4G062HH15 ,  4G062HH17 ,  4G062HH20 ,  4G062JJ01 ,  4G062JJ03 ,  4G062JJ05 ,  4G062JJ07 ,  4G062JJ10 ,  4G062KK01 ,  4G062KK03 ,  4G062KK05 ,  4G062KK07 ,  4G062KK10 ,  4G062MM12 ,  4G062MM27 ,  4G062NN29 ,  4G062NN40
引用特許：
審査官引用 (4件)
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