特許
J-GLOBAL ID：201103043348728533
静電型可動接点素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-006444
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208018
特許番号：特許第3590283号
出願日： 1999年01月13日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】固定吸引電極と可動吸引電極間の静電引力により支持梁を動かして固定接点電極と可動接点電極とからなる接点を開閉する静電型可動接点素子の製造方法において、半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜を形成した後に前記第1の絶縁膜上に固定吸引電極及び接続用電極を形成する工程と、前記固定吸引電極及び接続用電極を形成した後に前記第1の絶縁膜、前記固定吸引電極及び前記接続用電極上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜を形成した後に前記第2の絶縁膜上に固定接点電極を形成する工程と、前記固定接点電極を形成した後に前記第2の絶縁膜及び前記固定接点電極上に犠牲膜を形成する工程と、前記犠牲膜を形成した後に前記第2の絶縁膜及び前記犠牲膜に前記接続用電極を露出させる開口部を形成する工程と、前記開口部を形成した後に前記開口部を通して前記接続用電極と接続される支持梁を前記犠牲膜上に形成すると共に、この支持梁と接続される可動吸引電極を前記固定吸引電極と対向するよう前記犠牲膜上に形成する工程と、前記可動吸引電極を形成した後に前記可動吸引電極の少なくとも一部を覆う第3の絶縁膜を形成する工程と、前記第3の絶縁膜を形成した後に一部が前記第3の絶縁膜上に設けられ、他の部分が前記固定接点電極と対向するよう前記犠牲膜上に設けられる可動接点電極を形成する工程と、前記可動接点電極を形成した後に前記犠牲膜を除去する工程とを順次実施し、前記接点での接触を確保するために前記固定接点電極の上面が前記固定吸引電極の上面より高くなるように形成されることを特徴とする静電型可動接点素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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