特許

J-GLOBAL ID：201103043560298719

ポケット注入MOSFETのしきい値電圧の計算方法

発明者： 北丸 大輔 ,  三浦 道子
出願人/特許権者： 株式会社半導体理工学研究センター
代理人 (2件)： 青山 葆 ,  河宮 治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-263752
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077934
特許番号：特許第3653485号
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体装置におけるポケット注入金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のしきい値電圧(Vth)を計算する計算手段を備えた計算装置のためのポケット注入MOSFETのしきい値電圧の計算方法において、 上記計算手段は、 チャネル方向のポケットの基板内染み出し長と、ポケット内の最大不純物濃度をパラメータとして用いて、チャネル方向の基板内不純物濃度プロファイルを線形近似することにより、近似されたプロファイルを求めるステップと、 上記近似されたプロファイルに基づいて、反転層電荷密度(nx)の逆数をチャンネル全域で積分した値をチャネル長(Lch)で除算して得られるチャネル内の平均値の逆数である平均電荷密度(nxav)が、しきい値電荷密度(nxth)に一致するというしきい値条件のもとで、しきい値電圧(Vth)のモデルを解析的に解いて、しきい値電圧(Vth)を計算するステップとを実行することを特徴とするしきい値電圧の計算方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/00 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/78 301 Z ,  H01L 29/00 ,  H01L 29/78 301 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 不純物分布評価方法及びその装置並びに半導体製造方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-176419   出願人：株式会社東芝