特許

J-GLOBAL ID：201103043698243370

大面積の接続ポストと改良された外形を有する高電流容量半導体装置パッケージとリードフレーム

発明者： アーサー ウッドワース ,  ピーター アール. ユーアー ,  ケン ティースデール
出願人/特許権者： インターナショナル レクティフィアー コーポレイション
代理人 (1件)： 伊藤 進
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-161451
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077588
特許番号：特許第3646023号
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 サイズを大きくすることなく電流容量を増加させた半導体装置であって;該半導体装置は、リードフレームと、1つのパワーMOSFETと、複数の結合ワイヤとを備え;前記リードフレームは、ダイ取付けパッドと複数の平行に離間した外部導体とを有する、薄く略々平坦な導電性本体を備え;前記複数の平行に離間した外部導体の1つは、その一端に1つの大きい結合ワイヤポストを有し、この結合ワイヤポストは前記ダイ取付けパッドの近くに位置しているがこれと離間し;前記パワーMOSFETの底部は前記ダイ取付けパッドの頂面に固定され;前記複数の結合ワイヤは、それらの一端で前記パワーMOSFETの頂面と結合され、他の端で前記1つの大きい結合ワイヤポストに結合され;前記1つの大きい結合ワイヤポストは、前記リードフレームの幅の1/2倍以上の幅を有し;前記ダイ取付けパッドは、前記複数の外部導体のうちの1つに電気的に接続され;プラスティックハウジングが前記パワーMOSFETと前記リードフレームの少なくともある複数の部分を取り囲み;前記複数の離間した導体は、前記プラスティックハウジングの内部から延び、前記ハウジングの側壁を通って、前記ハウジングの外部に至り;前記複数の離間された外部導体のうちの横方向に最も外側の2つは、くぼみ形に曲げられ、前記導体の延在自由端部の離間距離を小さくし;前記くぼみ形に曲げられた外部導体は、それらが最大の離間を有する距離となる位置において前記ハウジングの側壁を貫通し、それによって前記側壁の表面に沿う沿面距離を増していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/48 ,  H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 23/48 ,  H01L 23/28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-087535
  
• 特開昭61-016554
  
• 特開平1-216608