半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-075605
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269498
特許番号：特許第4026270号
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】トレンチゲート構造を有する半導体装置において、トレンチ内に充填されたポリシリコンと、該ポリシリコン上を含み、該ポリシリコン近傍上を被覆したBPSG膜とを備え、該BPSG膜が2層で構成され、ポリシリコン側の下層のPBSG膜のボロン・リン濃度が8.5mol%以上で、10.5mol%以下であり、且つ、該下層のBPSG膜の上を被覆する上層のBPSG膜のボロン・リン濃度が12mol%以上で、13mol%以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：