特許

J-GLOBAL ID：201103043922979299

窒化物半導体発光素子

発明者： 岩佐 成人 ,  長濱 慎一 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (2件)： 河宮 治 ,  石井 久夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-300983
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091635
特許番号：特許第3809749号
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 少なくとも、b値が0.05以下のn型AlbGa1-bNからなる電流注入層兼キャリア閉じ込め層と、7nm以下の膜厚のInxGa1-xN(0<X<1)井戸層を含む量子井戸構造を有する活性層と、y値が0.05以上のp型AlyGa1-yNからなるp型クラッド層とをこの順に有する積層構造を有する窒化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 33/00 C