特許

J-GLOBAL ID：201103044041561522

半導体装置およびその製造方法

発明者： 米田 和志 ,  宮嶋 幹 ,  杉岡 繁 ,  宮村 高史
出願人/特許権者： エルピーダメモリ株式会社
代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  高橋 詔男 ,  大房 直樹 ,  大浪 一徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-190294
公開番号（公開出願番号）：特開2011-044488
出願日： 2009年08月19日
公開日（公表日）： 2011年03月03日
要約：

【課題】電極の支持部にクラックが発生し、電極の保持強度が低下して、電極の側壁を露出させる湿式エッチング工程において、電極の倒壊をさせるという課題があった。【解決手段】半導体基板1上に立設する複数の電極13と、電極13の立設を保持する支持部14Sと、を備え、支持部14Sが、圧縮応力を有する第1の支持膜14aと引張応力を有する第2の支持膜14bとが積層されてなる積層膜14である半導体装置を用いることにより、上記課題を解決できる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

半導体基板上に立設する複数の電極と、 前記電極の立設を保持する支持部と、を備え、 前記支持部が、圧縮応力を有する第1の支持膜と引張応力を有する第2の支持膜とが積層されてなる積層膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/824

FI (2件)：

H01L27/10 621C ,  H01L27/10 671B

Fターム (15件)：

5F083AD04 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083JA02 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21