特許

J-GLOBAL ID：201103044102787928

フォトレジスト剥離剤組成物

発明者： 山田 健二 ,  丸山 岳人 ,  南場 哲 ,  青山 哲男
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
代理人 (1件)： 永井 隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-190807
公開番号（公開出願番号）：特開2003-005385
特許番号：特許第4623254号
出願日： 2001年06月25日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】強誘電体メモリ-の製造工程で、強誘電体薄膜のドライエッチング時に生成するフォトレジスト残渣を除去するのに使用する、シュウ酸とポリオキシエチレンアルキルエ-テル硫酸塩および/またはポリオキシエチレンアルキルフェニルエ-テル硫酸塩を含有する水溶液からなるフォトレジスト剥離剤組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/42 ( 200 6.01) ,  H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  H01L 21/308 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)

FI (4件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/304 647 B ,  H01L 21/308 E ,  H01L 21/30 572 B