シリコン表面の処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-081775
公開番号（公開出願番号）：特開平2-260531
出願日： 1989年03月31日
公開日（公表日）： 1990年10月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】結晶シリコンまたはアモルファス・シリコンであるシリコン試料を減圧非酸化性雰囲気中に保持し;該シリコン試料の表面に、燐の水素化物ないし弗化物、砒素の水素化物ないし弗化物、硼素の水素化物ないし弗化物、シリコンの弗化物の中、いずれか一つを励起したガスを供給する一方;該シリコン試料を、所定の時間にわたる上記励起されたガスの供給中、その表面に上記励起されないガスが凝集、堆積する温度以上ではあるが、該励起されないガスが分解する温度以下の温度に維持すること;を特徴とするシリコン表面の処理方法。

IPC (2件)：