特許
J-GLOBAL ID：201103044325704226
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-320338
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124138
特許番号：特許第3818121号
出願日： 2001年10月18日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板に半導体素子を形成してなる半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の第1表面に不純物層を形成するステップと、
前記不純物層形成後に前記不純物層上に該不純物の拡散を防止する拡散防止体を形成するステップと、
前記拡散防止体形成後に前記半導体基板の前記第1表面と反対側の第2表面に前記半導体素子を形成し、前記半導体素子形成時の熱工程により前記不純物層を活性化させるステップと、
前記活性化後に前記拡散防止体を除去するステップと、
前記拡散防止体除去後に前記不純物層上に電極を形成するステップと、
を有し、前記拡散防止体を形成するステップは、
ベース基板上に前記拡散防止体を形成する第1ステップと、
前記第1ステップ後に、前記半導体基板と前記ベース基板とを、前記不純物層と前記拡散防止体とが対向するように接合する第2ステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/739 ( 200 6.01)
H01L 21/28 A
, H01L 29/78 658 A
, H01L 29/78 652 L
, H01L 29/78 655 C
