発光ダイオードアレイの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月猛
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-189004
公開番号（公開出願番号）：特開平2-152283
出願日： 1989年07月24日
公開日（公表日）： 1990年06月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の半導体基板の表面に第1導電型の発光層及び第2導電型の透過層を順次形成する第1工程と、電極接触を良好にするための第2導電型のキャップ層を透過層上部の電極接触部分に形成する第2工程と、透過層の所定部分に選択的に第1導電型の不純物を注入して発光領域を形成する第3工程と、透過層上部に絶縁膜を形成してからキャップ層の部分に窓を形成する第4工程と、その窓を介してキャップ層と接触する電極を形成すると共に半導体基板の裏面に共通電極を形成する第5工程と、を含んでなることを特徴とする発光ダイオードアレイの製造方法。

IPC (1件)：