特許

J-GLOBAL ID：201103044485743945

基準電流発生用CMOS回路

発明者： エマヌエレ・バリストレリ ,  マルコ・ブルチオ
出願人/特許権者： クセルト-セントロ・ステユデイ・エ・ラボラトリ・テレコミニカチオーニ・エツセ・ピー・アー
代理人 (1件)： 川原田 一穂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-282887
公開番号（公開出願番号）：特開2000-122740
特許番号：特許第3181898号
出願日： 1999年10月04日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基準電流を発生するためのCMOS回路であって、第1基準電流を発生する第1ユニット(G1)を少なくとも含み、該第1ユニットは、(1)能動コンポーネントにより作られた第1及び第2要素(S1,S2)であって、夫々の電流-電圧特性は、交差点が存在するような挙動を示し、該交差点に前記第1基準電流(I1)が対応し、第1要素(S1)は、第1トランジスター(T1)を含み、その出力にて第1基準電流(I1)を与える上記第1及び第2要素(S1,S2)、(2)前記2つの要素(S1,S2)に同じ電流を注入するための手段(SP)、(3)前記2つの要素(S1,S2)の電流-電圧特性の前記交差点に対応して該ユニットを動作させるスタートアップ回路(SU)、及び(4)動作条件が変わる際、前記交差点に対応した本回路の動作点を維持するフィードバック回路(AD)、を含み、(ア)前記第1トランジスター(T1)が、低利得トランジスターであり、(イ)前記第2要素(S2)は、直列に接続された第2及び第3トランジスター(T2,T3)を含み、これらのトランジスターは、第1トランジスター(T1)と同じタイプのドーピングが施され、第1トランジスター(T1)より十分に大きな利得を有し、(ウ)注入手段(SP)は、第1トランジスター(T1)を十分な飽和状態にて動作させ且つ第2及び第3トランジスター(T2,T3)を弱い反転状態にて動作させるような電流を注入し、そして(エ)フィードバック回路は、差動増幅器(AD)を含み、該増幅器は、前記第1及び第2要素(S1,S2)の両端間に存在する電圧をその入力にて受け取り、且つ、本回路を前記動作点に維持するような制御信号を前記注入手段(SP)に与える、ことを特徴とする基準電流を発生するためのCMOS回路。

IPC (2件)：

G05F 3/26 ,  H03F 1/30

FI (3件)：

G05F 3/26 ,  H03F 1/30 A ,  H03F 1/30 B