特許

J-GLOBAL ID：201103044739348308

3層磁気素子およびその製造方法と、そのような素子を使用する磁界センサ、磁気メモリおよび磁気論理ゲート

発明者： ベルナール・ロッドマック ,  ステファン・オーフレット ,  ベルナール・ディエニー ,  ラビニア・エレナ・ニストール
出願人/特許権者： コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ ,  セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク
代理人 (4件)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-513030
公開番号（公開出願番号）：特表2011-525300
出願日： 2009年06月05日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：

本発明の3層磁気素子は、基板上に、水素化物-酸化物または窒化物-酸化物の第1の層Oを含み、その上に金属磁気層Mが設けられ、金属磁気層Mの上に水素化物-酸化物または窒化物-酸化物の第2の層O’、あるいは非強磁性体金属層M’が設けられる。層Mは連続しており、1〜5nmの厚さを有し、その磁化は、層OおよびO’が無い状態で層面に平行である。室温以上のある温度範囲で、層Mの実際の消磁磁界を低減できる、あるいは層Mの磁化を層面に対しほぼ垂直に向けることができる、界面O/MおよびM/O’の層面に垂直な界面磁気等方性がある。

請求項（抜粋）：

3層磁気素子であって、基板上に、酸化物、水素化物または窒化物の第1の層Oを含み、その上に金属磁気層Mが設けられ、前記金属磁気層Mの上に酸化物、水素化物または窒化物の第2の層O’、あるいは非強磁性体金属層M’が設けられ、 層Mが連続しており、1〜5nmの厚さを有し、その磁化が、層OおよびO’が無い状態で層面に平行であり、 周囲温度以上のある温度範囲で、層Mの有効消磁磁界を低減できる、または層Mの磁化を前記層面に対しほぼ垂直に向けることができる、界面O/MおよびM/O’の層面に垂直な界面磁気異方性がある、3層磁気素子。

IPC (9件)：

H01L 43/08 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/06 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/10 ,  G01R 33/07 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16

FI (8件)：

H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/06 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/10 ,  G01R33/06 H ,  G11B5/39 ,  H01F10/16

Fターム (34件)：

2G017AD52 ,  4M119BB07 ,  4M119BB20 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  4M119DD02 ,  4M119DD17 ,  4M119JJ02 ,  5D034BA01 ,  5D034BA04 ,  5D034BA15 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049CB01 ,  5E049CC01 ,  5F092AB01 ,  5F092AB06 ,  5F092AC02 ,  5F092AC04 ,  5F092AD07 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26 ,  5F092BA02 ,  5F092BA12 ,  5F092BB12 ,  5F092BB42 ,  5F092BB53 ,  5F092BE27 ,  5F092CA15 ,  5F092CA17