特許

J-GLOBAL ID：201103044776273610

光電変換半導体膜を形成する塗布膜及びその製造方法、光電変換半導体膜、光電変換素子、及び太陽電池

発明者： 細谷 陽一 ,  佐藤 忠伸
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-283938
公開番号（公開出願番号）：特開2011-129564
出願日： 2009年12月15日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：

【課題】低コストで光電変換効率及び面内組成均一性の良好な光電変換半導体膜を製造可能とする【解決手段】基板11上に塗布され、焼結されることにより光電変換半導体膜31を形成する塗布膜30は、有機物302と平均粒径が100nm以下の複数の無機微粒子301とを含み、無機微粒子301が、銅及び/又は銀と、インジウム,ガリウム,亜鉛,及び錫からなる群より選ばれる少なくとも1つの元素と、硫黄,セレン及びテルルからなる群より選ばれる少なくとも1つの元素とを含むIb-IIIB-VIB化合物又はIb-IIB-IVB-VIB化合物からなる。有機物302の無機微粒子301に対する重量比は0.01以上0.1以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に塗布され、焼結されることにより光電変換半導体膜を形成する塗布膜であって、 有機物と平均粒径が100nm以下の複数の無機微粒子とを含み、 該無機微粒子が、銅及び/又は銀と、 インジウム,ガリウム,亜鉛,及び錫からなる群より選ばれる少なくとも1つの元素と、 硫黄,セレン及びテルルからなる群より選ばれる少なくとも1つの元素とを含むIb-IIIB-VIB化合物又はIb-IIB-IVB-VIB化合物からなり(不可避不純物を含んでもよい)、 前記有機物の前記無機微粒子に対する重量比が0.01以上0.1以下であることを特徴とする塗布膜。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (10件)：

5F051AA10 ,  5F051CB13 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F151AA10 ,  5F151CB13 ,  5F151FA02 ,  5F151FA03 ,  5F151FA04