特許

J-GLOBAL ID：201103044875265335

半導体発光素子と、その製造方法およびランプ、電子機器、機械装置

発明者： 酒井 浩光
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-124882
公開番号（公開出願番号）：特開2011-253847
出願日： 2010年05月31日
公開日（公表日）： 2011年12月15日
要約：

【課題】発光層の結晶性に起因する不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一n型半導体層を積層する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において前記第一n型半導体層上に、第二n型半導体層と、障壁層およびGa1-yInyN(0.07<y<0.30)なる組成の井戸層からなる発光層と、p型半導体層と、を順次積層する第二工程とを具備し、前記第二工程において、前記障壁層を第一の成長温度T1で成長させた後に、前記第一の成長温度T1よりも高温の第二の成長温度T2に昇温して前記障壁層を成長させ、さらに、前記第二の成長温度T2よりも低温の前記第三の成長温度T3に降温して前記障壁層の成長を続けることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一n型半導体層を積層する第一工程と、 第二有機金属化学気相成長装置において前記第一n型半導体層上に、第二n型半導体層と、障壁層およびGa1-yInyN(0.07<y<0.30)なる組成の井戸層からなる発光層と、p型半導体層と、を順次積層する第二工程とを具備し、 前記第二工程において、前記障壁層を第一の成長温度T1で成長させた後に、前記第一の成長温度T1よりも高温の第二の成長温度T2に昇温して前記障壁層を成長させ、さらに、前記第二の成長温度T2よりも低温の前記第三の成長温度T3に降温して前記障壁層の成長を続けることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/32 ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L33/00 186 ,  H01S5/343 610 ,  H01L21/205

Fターム (39件)：

5F041AA03 ,  5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045EB15 ,  5F045EK27 ,  5F173AA01 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AP06 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ20 ,  5F173AR85 ,  5F173AR93