電界誘起歪み材料及び圧電/電歪膜型素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田喜樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-172573
公開番号（公開出願番号）：特開2001-172077
特許番号：特許第3804752号
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2001年06月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 BaTiO3を主成分とし、BaとTiとの比率がモル比で1/0.998から1/0.92の範囲にあり、これにMn、Cu、Coから選ばれた少なくとも1種を、金属換算で0.05から2wt%添加した磁器に焼成される材料であって、磁器中の結晶相がペロブスカイト単相であり、電界強度2000V/mmにおける横方向電界誘起歪みの値が300×10-6以上であることを特徴とする電界誘起歪み材料。

IPC (2件)：