特許

J-GLOBAL ID：201103045116921046

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 廣田 正樹 ,  岩崎 靖和
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-080467
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267265
特許番号：特許第3644347号
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上に窒化シリコン膜を形成する成膜工程と、 前記窒化シリコン膜にシリコンイオンを注入するイオン注入工程と、 前記シリコンイオンが注入された窒化シリコン膜に、機能性構造体の一部を構成する機能性要素を形成する要素形成工程と、 前記窒化シリコン膜および前記機能性要素が形成された半導体基板を熱処理する熱処理工程と、 前記窒化シリコン膜をダイアフラム構造とすることにより前記窒化シリコン膜および前記機能性要素を備えた機能性構造体を形成する機能性構造体形成工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  G01J 1/02 ,  H01L 29/84 ,  H01L 35/32

FI (4件)：

H01L 21/265 Y ,  G01J 1/02 C ,  H01L 29/84 B ,  H01L 35/32 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-153786   出願人：日本電気株式会社