特許

J-GLOBAL ID：201103045204085908

半導体装置の製造方法

発明者： 舘 宏 ,  沖永 隆幸 ,  江俣 孝司 ,  奥谷 謙 ,  中丸 力
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ ,  日立北海セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-070668
公開番号（公開出願番号）：特開平2-250361
特許番号：特許第2799321号
出願日： 1989年03月24日
公開日（公表日）： 1990年10月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】パッケージ本体と、このパッケージ本体のキャビティ内に収容された半導体ペレットと、前記キャビティ内に充填されて前記半導体ペレットを封止しているゲルコート材からなる封止層とを備えている半導体装置の製造方法であって、硬化剤を加熱して気化させた雰囲気中に前記半導体装置を収容し、前記半導体装置の前記封止層の表面層に前記硬化剤の加熱により気化した硬化剤分子を供給して付加することによって、前記封止層の表面層における硬度を該封止層の表面層より下側のゲル状の下層における硬度より大きく形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 21/56 R ,  H01L 23/28 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-101056
  
• 特開昭61-101056