特許
J-GLOBAL ID：201103045254728338
イオンビーム加工方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-177908
公開番号（公開出願番号）：特開平3-044031
特許番号：特許第2892690号
出願日： 1989年07月12日
公開日（公表日）： 1991年02月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】イオン源から引き出して集束させたイオンビームを多層配線を有する半導体素子の表面に照射して走査することにより前記半導体素子を加工する加工方法であって、前記半導体素子の加工対象領域の加工すべき断面形状の形状データを作成し、該作成した形状データに対応する加工形状を得るべく前記イオンビームの照射・走査を制御するための制御データを作成し、該作成した制御データに基いて前記イオンビームを前記半導体素子の表面に照射して走査することにより前記半導体素子の加工対象領域を加工することを特徴とするイオンビーム加工方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/302
H01L 21/88 Z
, H01L 21/302 Z
